[发明专利]用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构和检测方法有效

专利信息
申请号: 201410172644.9 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN105097779B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 殷登平;许广勤 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 吴贵明,张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 检测 sti 结构 隔离 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构,其特征在于,包括:

第一检测电极(11),所述第一检测电极(11)垂直于待测试的STI结构(100)的长度方向设置;

连接电极(21),所述连接电极(21)垂直于所述STI结构(100)的长度方向设置,所述连接电极(21)的沿垂直于反型层(200)的方向的结构包括设置在所述反型层(200)的表面的绝缘层(212)和设置在所述绝缘层(212)上的电极材料层(211),当所述电极材料层(211)加载电压时,所述绝缘层(212)下方的所述反型层(200)内形成反转层(213);

第二检测电极(30),所述第二检测电极(30)设置在所述反型层(200)内,且与加载电压时所形成的所述反转层(213)电连接;

所述第一检测电极(11)与所述连接电极(21)之间具有一个待检测的STI结构(100);

所述第一检测电极(11)和所述STI结构(100)均设置在所述反型层(200)内,所述STI结构(100)的上表面与设置有所述连接电极(21)的所述反型层(200)的上表面平齐。

2.根据权利要求1所述的检测结构,其特征在于,所述检测结构包括多个相互间隔设置的第一检测电极(11)与多个相互间隔设置的连接电极(21),所述多个连接电极(21)与所述多个第一检测电极(11)相互交叉设置,每个连接电极(21)与第一检测电极(11)之间均具有一个待测试的STI结构(100),所述第二检测电极(30)与每个所述连接电极(21)在加载电压时所形成的所述反转层(213)均电连接。

3.根据权利要求2所述的检测结构,其特征在于,所述检测结构还包括第一连通部(12),所述第一连通部(12)与多个所述第一检测电极(11)的同侧相应端连接形成第一梳状部(10)。

4.根据权利要求3所述的检测结构,其特征在于,所述第一连通部(12)沿垂直于所述反型层(200)的方向的结构与所述第一检测电极(11)的结构相同。

5.根据权利要求3所述的检测结构,其特征在于,所述第一检测电极(11)、连接电极(21)与STI结构(100)形成检测区域;所述检测结构还包括第二连通部(22),所述第二连通部(22)与多个所述连接电极(21)的同侧相应端连接形成第二梳状部(20),且所述第二梳状部(20)与所述第一梳状部(10)相对设置。

6.根据权利要求5所述的检测结构,其特征在于,所述第二连通部(22)沿垂直于所述反型层(200)的方向的结构与所述连接电极(21)的结构相同。

7.根据权利要求6所述的检测结构,其特征在于,所述第二检测电极(30)设置在所述第二连通部(22)的远离所述连接电极(21)的一侧,所述第二检测电极(30)的一个侧面与所述第二连通部(22)的远离所述连接电极(21)的侧面处于同一平面中。

8.根据权利要求1所述的检测结构,其特征在于,所述第一检测电极(11)设置在所述反型层(200)内。

9.根据权利要求8所述的检测结构,其特征在于,所述第一检测电极(11)沿垂直于所述反型层(200)的方向的厚度大于所述反转层(213)的厚度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的检测结构,其特征在于,所述第一检测电极(11)与所述第二检测电极(30)的导电特性相同,所述反型层(200)与所述第一检测电极(11)的导电特性相反。

11.一种用于检测STI结构的电隔离性能的检测方法,其特征在于,包括:

基于待检测的STI结构(100)形成权利要求1至10中任一项所述的检测结构;

向所述检测结构的连接电极(21)的电极材料层(211)加载电压,以在所述连接电极(21)的绝缘层(212)下的反型层(200)内形成反转层(213);

在第一检测电极(11)和第二检测电极(30)之间接通检测电压,以检测所述STI结构(100)的电性能。

12.根据权利要求11所述的检测方法,其特征在于,将所述第一检测电极(11)接地,并向所述第二检测电极(30)加载所述检测电压,所述检测电压的电压值等于向所述电极材料层(211)加载的电压值,检测第一检测电极(11)上的电流。

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