[发明专利]声聚焦传感器的制作方法和声聚焦传感器有效

专利信息
申请号: 201410166541.1 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN103968935B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 陆国俊;易满成;舒乃秋;李智宁;杨鹏;方健;顾春晖;苏海博;黄强 申请(专利权)人: 广州供电局有限公司;武汉大学
主分类号: G01H11/06 分类号: G01H11/06;G01R31/12
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 黄晓庆
地址: 510620 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种声聚焦传感器的制作方法,包括根据预设的聚焦抛物面的开口半径及预设的入射声波的频率计算中心角;根据所述预设的开口半径及所述中心角,计算所述聚焦抛物面的焦距;制作声聚焦传感器,其中,所述声聚焦传感器包括反射镜和传感器,所述反射镜具有一聚焦抛物面,所述聚焦抛物面的抛物线方程为y2=2px,F=p/2,所述传感器设置在所述聚焦抛物面的焦点上。本发明还提供一种声聚焦传感器,能快速地确定声聚焦传感器的大小形状,利用该聚焦传感器中反射镜形成的聚焦抛物面接收的污秽绝缘子放电声发射信号的灵敏度及信噪比非常高。
搜索关键词: 聚焦 传感器 制作方法 和声
【主权项】:
一种声聚焦传感器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:根据预设的聚焦抛物面的开口半径及预设的入射声波的频率,利用下式计算所述聚焦抛物面的中心角:(3+cosαm)(1-cosαm)2[3(1-cos2αm)+2(1-cos3αm)](1+cosαm)=48c2KID2π2f2;]]>其中,αm为所述中心角,D为所述开口半径,f为所述入射声波的频率,K1为预设的聚焦抛物面的放大倍数,0≤K1≤12;根据所述开口半径及所述中心角,利用下式计算所述聚焦抛物面的焦距:F=cπfKI[4-(1+cosαm)2]*[14(1-cos2αm)+16(1-cos3αm)];]]>其中,F为所述焦距,c为声速;根据所述聚焦抛物面的焦距,制作声聚焦传感器,其中,所述声聚焦传感器包括反射镜和传感器,所述反射镜具有一聚焦抛物面,所述聚焦抛物面的抛物线方程为y2=2px,F=p/2,所述传感器设置在所述聚焦抛物面的焦点上;所述声聚焦传感器的声压增益值为其中,Kp为所述声压增益值,所述声聚焦传感器的速度增益值为其中,Kv为所述速度增益值;所述声聚焦传感器的声强增益值为其中,Ks为所述声强增益值;所述传感器为驻极体传感器;所述驻极体传感器包括上电极和下电极,上电极为镀有金属层的驻极体振膜,下电极为金属板,上电极和下电极被气隙分开,上下电极之间通过连接线接入电源,上下电极之间的连接线还连接负载电阻,上电极还接地。
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