[发明专利]形成包括薄层的光伏电池的方法无效

专利信息
申请号: 201410165828.2 申请日: 2009-02-05
公开(公告)号: CN104037258A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 斯里尼瓦桑·斯瓦瑞姆;阿蒂塔亚·阿加瓦尔;S·布莱德·赫内尔;克里斯托弗·J·佩蒂 申请(专利权)人: 特温克里克技术公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 鲁异
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及形成包括薄层的光伏电池的方法。通过将气体离子注入在诸如半导体晶片之类的施主体的表面以下,来形成非常薄的光伏电池。离子注入界定了解理平面,并且后续的步骤在解理平面处将薄层从晶片剥离。在层内形成光伏电池,或者形成光伏电池的基极或发射极的全部或部分。在优选实施例中,在解理步骤之前,晶片附装到接收体。可以形成对于层的两个表面或仅一个表面的电接触。
搜索关键词: 形成 包括 薄层 电池 方法
【主权项】:
一种用于形成器件的方法,所述方法包括:将半导体主体的第一表面永久地粘附到接收体,其中所述接收体是金属;以及从所述半导体主体解理层,其中所述层包括所述第一表面,所述第一表面保持为粘附到所述接收体,并且所述层的厚度在1至80微米之间。
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