[发明专利]形成包括薄层的光伏电池的方法无效
| 申请号: | 201410165828.2 | 申请日: | 2009-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN104037258A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 斯里尼瓦桑·斯瓦瑞姆;阿蒂塔亚·阿加瓦尔;S·布莱德·赫内尔;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申请(专利权)人: | 特温克里克技术公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 鲁异 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明涉及形成包括薄层的光伏电池的方法。通过将气体离子注入在诸如半导体晶片之类的施主体的表面以下,来形成非常薄的光伏电池。离子注入界定了解理平面,并且后续的步骤在解理平面处将薄层从晶片剥离。在层内形成光伏电池,或者形成光伏电池的基极或发射极的全部或部分。在优选实施例中,在解理步骤之前,晶片附装到接收体。可以形成对于层的两个表面或仅一个表面的电接触。 | ||
| 搜索关键词: | 形成 包括 薄层 电池 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成器件的方法,所述方法包括:将半导体主体的第一表面永久地粘附到接收体,其中所述接收体是金属;以及从所述半导体主体解理层,其中所述层包括所述第一表面,所述第一表面保持为粘附到所述接收体,并且所述层的厚度在1至80微米之间。
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