[发明专利]形成包括薄层的光伏电池的方法

权利要求书

1.一种用于形成器件的方法，所述方法包括：

将半导体主体的第一表面永久地粘附到接收体，其中所述接收体是金属；以及

从所述半导体主体解理层，其中所述层包括所述第一表面，所述第一表面保持为粘附到所述接收体，并且所述层的厚度在1至80微米之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的厚度在1至20微米之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体主体是硅晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述层包括与所述第一表面相对的第二表面，其中金属或透明导电氧化物与所述第二表面进行电接触。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括在粘附步骤之前，将所述第一表面掺杂成第一导电类型。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括将所述第二表面掺杂成与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

7.根据权利要求4所述的方法，其中透明导电氧化物与所述第二表面进行电接触，且其中所述透明导电氧化物是氧化锌。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在粘附步骤之前，通过所述第一表面注入一种或多种气体离子，其中注入的气体离子的最大浓度的深度界定用于解理步骤的解理平面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述一种或多种气体离子包括氢离子和氦离子。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的厚度在约1至约5微米之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的厚度在约1至约2微米之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体主体是单晶硅晶片。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体主体包括聚晶体或多晶体半导体材料。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括在解理步骤之后，制造光伏电池，其中所述光伏电池包括所述层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述接收体是铝。

16.一种用于制造光伏模组的方法，所述方法包括：

将多个半导体晶片附装到接收体；以及

在附装步骤之后，从半导体晶片中的每一个在晶片内的解理平面处进行解理半导体层，其中每个层接合到所述接收体，

其中所述光伏模组包括所述接收体和所述层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中每个层具有约1至约80微米之间的厚度。

18.根据权利要求17所述的方法，其中每个层具有约1至约5微米之间的厚度。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述半导体晶片是单晶浮动区域硅晶片。

20.根据权利要求16所述的方法，还包括在附装步骤之前，将一个或多个气体离子注入多个晶片中的每一个，其中离子注入界定用于解理步骤的所述解理平面。

21.根据权利要求16所述的方法，其中每个层包括光伏电池的基极或发射极或两者的至少一部分。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述光伏电池串联电连接。

23.根据权利要求21所述的方法，其中每个层包括光伏电池的基极的至少一部分。

24.根据权利要求21所述的方法，其中每个层包括光伏电池的基极和射极。

25.根据权利要求16所述的方法，其中金属材料设置于每个层和所述接收体之间。

26.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属材料包括钛或铝。

27.根据权利要求16所述的方法，其中电介质层设置于每个层和所述接收体之间。

28.根据权利要求16所述的方法，其中透明导电氧化物设置于每个层和所述接收体之间。

29.根据权利要求16所述的方法，其中接近所述层的所述接收体的表面包括玻璃。

30.根据权利要求16所述的方法，其中在完成的光伏模组中，在正常操作期间，入射光首先穿过所述接收体，然后进入所述层。