[发明专利]用于内存组件阵列互连的聚合物电介质

摘要

一种用于内存组件阵列互连的聚合物电介质，本发明揭示一种半导体装置(100)，其含有聚合物电介质(103)以及至少含有有机半导体材料(112)与无源层(114)的有源装置(104)。该半导体装置(100)亦可进一步含有导电性聚合物(106与/或108)。此装置以重量轻和高可靠度为其特征。

主权项

一种半导体装置(100)，包括：衬底(101);在衬底(101)上方的聚合物电介质(103);以及形成在该聚合物电介质（103）内的至少一个有源装置(104)，其包括有机半导体材料(112)与无源层(114);其中，该聚合物电介质（103）的材料的选择是基于该聚合物电介质（103）的热膨胀系数是否实质吻合该有机半导体材料(112)与该无源层(114)的热膨胀系数，该聚合物电介质(103)包括选自下列所组成的群组中的至少之一：氢聚倍半硅氧烷，甲基聚倍半硅氧烷，丁基聚倍半硅氧烷，苯基聚倍半硅氧烷，聚亚苯基，聚硅氮烷，聚苯基喹喔啉，2,2‑双三氟甲基‑4,5‑二氟‑1,3‑二氧杂环戊烯的共聚物，全氟烷氧基树脂，氟化的乙烯丙烯，氟甲基丙烯酸酯，聚(芳基醚)，氟化的聚(芳基醚)，氟化的派瑞林，聚(对二甲苯)，氟化的聚(对二甲苯)，派瑞林F、派瑞林N，派瑞林C，派瑞林D，非晶的聚四氟乙烯，聚喹啉，聚苯基喹喔啉，以及该有机半导体材料(112)包括选自下列所组成的群组中的至少之一：聚(叔丁基)二苯基乙炔；聚(三氟甲基)二苯基乙炔；聚双(三氟甲基)乙炔；聚双(叔丁基联苯基)乙炔；聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔；聚(咔唑)二苯基乙炔；聚二乙炔；聚苯基乙炔；聚嘧啶乙炔；聚甲氧基苯基乙炔；聚甲基苯基乙炔；聚(叔丁基)苯基乙炔；聚硝基‑苯基乙炔；聚(三氟甲基)苯基乙炔；聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔；聚二吡咯基甲烷；聚吲哚醌；聚二羟基吲哚；聚三羟基吲哚；呋喃‑聚二羟基吲哚；聚吲哚醌‑2‑羧基；聚吲哚醌；聚苯并双噻唑；聚(对苯硫醚)；聚硅烷；聚呋喃；聚吲哚；聚薁；聚亚苯基；聚嘧啶；聚联嘧啶；聚六噻吩；聚(硅酮半紫菜嗪)；聚(锗酮半紫菜嗪)；聚(伸乙二氧基噻吩)以及聚嘧啶金属络合物。