[发明专利]Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ga改性(Bi_0.8Gd_0.2)FeO₃-PbTiO₃压电陶瓷，其化学式为：(Bi_0.8Gd_0.2)（Fe_1-xGa_x）O₃-PbTiO₃，其中x<0.1，即在BGF-PT体系中引入Ga元素，形成BGGF-PT压电陶瓷固溶体系。本发明还公开了一种BGGF-PT压电陶瓷制备方法，按化学式配料，进行球磨混合，在750℃温度范围内煅烧合成，经多次球磨与煅烧合成至颗粒细小、均匀的BGF-PT粉体，压片，烧结，得到陶瓷制品。本发明采用Ga元素对BGF-PT系压电陶瓷材料进行改性，制备出了铅含量低、准同型相界范围大、绝缘性好、压电常数高性能优越的BGGF-PT压电陶瓷。

主权项

 一种Ga改性(Bi_0.8Gd_0.2)FeO₃‑PbTiO₃压电陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Bi_0.8Gd_0.2)（Fe_1‑xGa_x）O₃‑PbTiO₃，其中x<0.1，即在(Bi_0.8Gd_0.2)FeO₃‑PbTiO₃体系中引入Ga元素，形成BGGF‑PT压电陶瓷固溶体系。