[发明专利]Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201410163475.2 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103951407A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 程晋荣;王大磊;陈建国 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ga 改性 bi sub 0.8 gd 0.2 feo pbtio 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1. 一种Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Bi0.8Gd0.2)（Fe1-xGax）O3-PbTiO3，其中x<0.1，即在(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3体系中引入Ga元素，形成BGGF-PT压电陶瓷固溶体系。
2.根据权利要求1所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其特征在于：BGGF-PT压电陶瓷材料的化学式中的x≤0.08。
3.根据权利要求2所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其特征在于：BGGF-PT压电陶瓷材料的化学式中的x的取值范围为0.03～0.08。
4.根据权利要求3所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其特征在于：BGGF-PT压电陶瓷材料的化学式中的x的取值范围为0.05～0.08。
5.根据权利要求3所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其特征在于：BGGF-PT压电陶瓷材料的化学式中的x取值为0.05，即BGGF-PT压电陶瓷的化学式为(Bi0.8Gd0.2)（Fe0.95Ga0.05）O3-PbTiO3。
6.一种权利要求1所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
① BGGF-PT压电陶瓷粉体制备：采用固相法将Ga元素掺杂到(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷材料体系中，形成BGGF-PT压电陶瓷固溶体系，即以Bi2O3、Fe2O3、PbO、TiO2、Gd2O3和Ga2O3为原料，以设定的BGGF-PT压电陶瓷化学式的x值，按制备(Bi0.8Gd0.2)（Fe1-xGax）O3-PbTiO3所需化学计量比称取上述原料进行粉碎，充分混合，并研细初步制备BGGF-PT压电陶瓷粉料，再进行煅烧，利用Ga元素对(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷粉料进行改性，将混合组分制备合成压电陶瓷粉料，再对压电陶瓷粉料至少过筛140目，得到颗粒细小、均匀的BGGF-PT压电陶瓷粉体；
② BGGF-PT压电陶瓷素坯成型：将在上述步骤①中制备的BGGF-PT合成粉体进行压力成型，获得BGGF-PT压电陶瓷素胚；
③ BGGF-PT压电陶瓷烧结：将在上述步骤②中制备的BGGF-PT压电陶瓷素坯放在坩埚中密封烧结，烧结温度大于1020 ℃，完成烧结过程并冷却后，最终得到具有上述步骤①中化学计量比的(Bi0.8Gd0.2)(Fe1-xGax)O3-PbTiO3压电陶瓷制品。
7.根据权利要求6所述Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷的制备方法，其特征在于：在上述步骤①中，煅烧温度控制在750 ℃温度范围内，并至少煅烧两次。
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