[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410162696.8 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943470A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周建华;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一半导体衬底；对所述半导体衬底进行环状离子注入与辅助离子注入，所述辅助离子注入的方向与所述半导体衬底表面成一夹角；然后进行后续的工艺制作。通过辅助离子注入方式的优化，提高半导体器件阈值电压的离散性，从而减少了半导体器件电学参数的偏移，提高了器件的稳定性以及良率；并且辅助离子注入采用的是低温注入的方法，从而通过抑制杂质的瞬态增强扩散效应达到了抑制短沟道效应的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；对所述半导体衬底进行环状离子注入与辅助离子注入，所述辅助离子注入的方向与所述半导体衬底表面成一夹角；进行后续的工艺制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
