[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410162696.8 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943470A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周建华;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
对所述半导体衬底进行环状离子注入与辅助离子注入，所述辅助离子注入的方向与所述半导体衬底表面成一夹角；
进行后续的工艺制作。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述辅助离子注入为低温离子注入。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述低温离子注入的温度为-100℃～-50℃。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述辅助离子注入中注入的是碳离子。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述环状离子注入的方向与所述半导体衬底表面成一夹角。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述环状离子注入中注入的是BF2与铟离子。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述辅助离子注入之后还包括：进行轻掺杂离子注入。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂离子注入的方向与所述半导体衬底表面垂直。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在进行环状离子注入之前，在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构、阱区以及栅极结构。
10.如权利要求1至8中任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述后续的工艺制作包括：栅极侧墙的形成、源漏离子的注入、硅化物的形成、接触孔及金属层的形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
