[发明专利]一种HIT太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

主权项

一种HIT太阳能电池，其特征为该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p‑Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a‑Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a‑Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a‑Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a‑Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极；所述的正面电极为铝栅电极；所述的背面电极为铝栅电极。