[发明专利]一种HIT太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种HIT太阳能电池，其特征为该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极；

所述的正面电极为铝栅电极；所述的背面电极为铝栅电极。

2.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征为所述的P型多晶硅衬底（P p-Si）的厚度为100～130um；第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）的厚度为5～20nm；N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）的厚度为50～150nm，第二本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）的厚度为5～20nm；P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）的厚度为5～20nm；第一、第二透明导电薄膜层的厚度为50～100nm，所述的铝栅电极，膜厚15～20μm，栅线间距3mm、宽度0.10～0.12mm。

3.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征为所述的P型多晶硅衬底，其厚度为100～130um，电阻率为1～5Ω·cm，少子寿命1～100us。

4.如权利要求1所述的HIT太阳能电池的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：

1)清洗工艺

利用标准的RCA清洗工艺处理P型多晶硅衬底，去除P型多晶硅衬底表面的颗粒物、有机物以及金属杂质；

2)铝吸杂工艺

首先在经过清洗的P型多晶硅衬底任一面上蒸镀厚度为1～2μm的铝层，蒸铝面即为硅片的正面；然后对硅片进行退火处理，在氩气的气氛中由室温升高到700℃～800℃，保温1-3小时，然后退火降温到室温，升温速度与降温速度均为5-15℃/min；再将P型多晶硅衬底用质量分数为10%的NaOH溶液浸泡处理10～30分钟，腐蚀掉表面的铝层以及合金层；

3)PECVD工艺

采用平板式PECVD方法在P型多晶硅衬底正面依次沉积厚度为5～20nm的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）及厚度为50～150nm的N型氢化非晶硅层（N a-Si:H），然后再在P型多晶硅衬底背面依次沉积厚度为5～20nm的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）及厚度为5～20nm的P型氢化非晶硅层（P a-Si:H），得到多层结构；

4)磁控溅射工艺

采用磁控溅射方法在步骤3）得到的多层结构的两面分别沉积厚度为50～100nm的透明导电薄膜层；

5)丝网印刷工艺

采用丝网印刷技术在步骤4）得到的多层结构的两面分别印刷铝浆，膜厚在15～20μm，然后采用低温烧结制成电极，烧结温度为200℃～300℃，时间为2～4小时，形成铝栅电极，从而最终得到HIT太阳能电池。