[发明专利]闪存结构

摘要

本发明提供一种闪存结构，所述结构包括一衬底和设置在该衬底上的有源区层和栅极层所述有源区层设置有若干根平行排列的位线和垂直于所述位线的若干根平行排列的字线；每根所述字线均与8N根位线电连接，且与一根所述字线电连接的所有位线上的第一有源区之间电连接；其中，所述第一有源区为源极，所述N为正整数。本发明设计的闪存结构，通过利用一根不具备存储性能的引线为其所在的字线上的若干根位线提供一个公共源极，使整个字线存储单元只需要一个接触孔连接源极，缩小了相邻两个平行栅极之间的水平距离，从而缩小了单个存储单元的面积，减小了闪存芯片的面积，进而提高了存储密度。

主权项

一种闪存结构，其特征在于，所述结构包括一衬底和设置在该衬底上的有源区层和栅极层：所述有源区层设置有若干根平行排列的位线和垂直于所述位线的若干根平行排列的字线；每根所述字线均与8N根位线电连接，且与一根所述字线电连接的所有位线上的第一有源区之间电连接；任意所述字线下设置一根引线，并在所述引线的所述第一有源区上方，设置一个接触孔；其中，所述第一有源区为源极，所述N为正整数。