[发明专利]闪存结构

权利要求书

1.一种闪存结构，其特征在于，所述结构包括一衬底和设置在该衬底上的有源区层和栅极层：

所述有源区层设置有若干根平行排列的位线和垂直于所述位线的若干根平行排列的字线；

每根所述字线均与8N根位线电连接，且与一根所述字线电连接的所有位线上的第一有源区之间电连接；

其中，所述第一有源区为源极，所述N为正整数。

2.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，所述栅极层包括：

隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于任意所述位线的源极与漏极之间的位置上方；

浮栅层，所述浮栅层完全覆盖于所述遂穿氧化层的上表面，且不与所述隧穿氧化层下方的所述有源区层接触；

绝缘层，所述绝缘层完全覆盖于所述浮栅层的上表面，且不与所述浮栅层下方的所述隧穿氧化层接触；

控制栅层，所述控制栅层完全覆盖于所述绝缘层的上表面，且不与所述绝缘层下方的所述浮栅层接触。

3.如权利要求2所述的闪存结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的材质为二氧化硅，所述浮栅层和所述控制栅层的材质均为多晶硅，所述绝缘层材质为二氧化硅/氮化硅/二氧化硅。

4.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，任意所述字线下设置8/16/24/32根位线和一根引线。

5.如权利要求4所述的闪存结构，其特征在于，所述位线和所述引线的长度和宽度均相同。

6.如权利要求4所述的闪存结构，其特征在于，所述栅极层包括若干栅极，且任意所述栅极的长度由其对应的引线和位线的数量决定。

7.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，所述位线的源极和漏极均为n型。

8.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，对所述源极之间的区域进行离子注入工艺，以使所述源极之间电连接。

9.如权利要求8所述的闪存结构，其特征在于，完成所述栅极层制备后，利用光刻版图对所述源极之间的区域进行离子注入工艺。

10.如权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，在所述引线的所述第一有源区上方，设置一个接触孔。