[发明专利]一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法有效
| 申请号： | 201410154960.3 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103964413A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 司佳;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，提高碳纳米管平行阵列的密度；最后利用化学方法将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法效率高，成本低，得到高质量高密度的碳纳米管平行阵列，成功解决现有碳纳米管转移的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 平行 阵列 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法，包括以下步骤：1）将基片上生长的碳纳米管转移到拉伸后的伸缩膜上，得到复合结构，所述碳纳米管延伸的方向垂直于所述伸缩膜可收缩的方向；2）沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩所述的伸缩膜；3）基于化学方法将收缩后的复合结构中的碳纳米管从伸缩膜转移到目标基片上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410154960.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：辗钢火车车轮冲孔装置
- 下一篇：一种便携式开孔器
