[发明专利]基于相变量子点的存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410152490.7 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103915566B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 倪鹤南;吴良才;李志彬;王艳智;龚路鸣 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/04 |
| 代理公司： | 杭州知通专利代理事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于相变量子点的存储器件及其制备方法，其中基于相变量子点的存储器件包括半导体衬底、隧穿层、相变量子点薄膜层、阻挡层、第一电极以及第二电极。隧穿层设置于半导体衬底。相变量子点薄膜层设置于隧穿层，相变量子点薄膜层包括相变量子点，相变量子点可通过俘获隧穿电荷以及晶态和非晶态间的可逆转变来实现信息存储。阻挡层设置于所述相变量子点薄膜层，阻挡层可阻挡相变量子点俘获的电荷进入第一电极。第一电极给阻挡层供电。第二电极给半导体衬底供电。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 相变 量子 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于相变量子点的存储器件的制备方法，其特征在于，包括：选取半导体衬底，并对所述半导体衬底进行清洗；在所述半导体衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成相变量子点薄膜层；对所述相变量子点薄膜层、位于相变量子点薄膜层下的隧穿层以及位于隧穿层下的半导体衬底进行退火，形成相变量子点；在已形成相变量子点的相变量子点薄膜层上形成阻挡层；形成给所述阻挡层供电的第一电极以及给所述半导体衬底供电的第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴文理学院，未经绍兴文理学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410152490.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光显示器件
- 下一篇：无需POS辅助的低空遥感影像快速自动拼接方法
