[发明专利]基于相变量子点的存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于相变量子点的存储器件的制备方法，其特征在于，包括：

选取半导体衬底，并对所述半导体衬底进行清洗；

在所述半导体衬底上形成隧穿层；

在所述隧穿层上形成相变量子点薄膜层；

对所述相变量子点薄膜层、位于相变量子点薄膜层下的隧穿层以及位于隧穿层下的半导体衬底进行退火，形成相变量子点；

在已形成相变量子点的相变量子点薄膜层上形成阻挡层；

形成给所述阻挡层供电的第一电极以及给所述半导体衬底供电的第二电极。

2.根据权利要求1所述的基于相变量子点的存储器件的制备方法，其特征在于，采用氧化法或淀积法形成所述隧穿层。

3.根据权利要求1所述的基于相变量子点的存储器件的制备方法，其特征在于，采用合金靶溅射法、共溅射法、原子层沉积法、化学气相沉积法或蒸发法中的任一种形成所述相变量子点薄膜层。

4.根据权利要求1所述的基于相变量子点的存储器件的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法或蒸发法中的任一种形成所述阻挡层。