[发明专利]一种单分散蓝辉铜矿半导体纳米晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201410151190.7 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103922386A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 唐爱伟;叶海航 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体纳米晶合成技术领域的一种单分散蓝辉铜矿半导体纳米晶及其制备方法。本发明选用铜盐作为铜原料，掺入少量其它金属盐，并以脂肪族硫醇作为硫原料，在高沸点溶剂中通过高温分解的方法制备单分散性较好的蓝辉铜矿(Cu9S5)半导体纳米晶。本发明中所使用的原料廉价易得，设备工艺简单，操作安全、简便、重复性好。本发明的制备方法制备的蓝辉铜矿半导体纳米晶，直径小于5纳米，形状为球状或稻米状，晶型为菱形晶系或四角晶系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 辉铜矿 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单分散的蓝辉铜矿半导体纳米晶的制备方法，其特征在于以铜盐作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料，铜盐和脂肪族硫醇的物质的量比例为1:2‑1:50，同时引入其它金属盐，在高沸点溶剂中于加热反应，反应结束后，将反应液冷却至室温，向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出，经过陈化，离心，洗涤后得到蓝辉铜矿半导体纳米晶；所述其它金属盐为Zn盐、Cd盐、Al盐、Mn盐或Pb盐。
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