[发明专利]一种单分散蓝辉铜矿半导体纳米晶及其制备方法

权利要求书

1.一种单分散的蓝辉铜矿半导体纳米晶的制备方法，其特征在于以铜盐作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料，铜盐和脂肪族硫醇的物质的量比例为1:2-1:50，同时引入其它金属盐，在高沸点溶剂中于加热反应，反应结束后，将反应液冷却至室温，向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出，经过陈化，离心，洗涤后得到蓝辉铜矿半导体纳米晶；所述其它金属盐为Zn盐、Cd盐、Al盐、Mn盐或Pb盐。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述铜盐为乙酰丙酮铜、硝酸铜、乙酸铜、氯化亚铜中的一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的其它金属盐为乙酰丙酮锌、乙酸锌、乙酰丙酮镉、乙酸镉、乙酰丙酮铝、乙酸锰和乙酸铅中的一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述加热反应在无水无氧条件下，温度为200～260℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述脂肪族硫醇为十二硫醇、八硫醇或十八硫醇。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述高沸点溶剂为十八烷烯、油酸或油胺。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于铜盐和其它金属盐的摩尔比为100:1～6:1。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于脂肪族硫醇与高沸点溶剂的体积比为1:5～1:10。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述沉淀剂为乙醇、异丙醇或丙酮。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于加热反应时间为10分钟～10小时。

11.权利要求1-10任一所述制备方法制备的蓝辉铜矿半导体纳米晶。