[发明专利]衬底上的孔隙沉积工艺及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201410150706.6 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105088151A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/58;H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底上的孔隙沉积工艺及半导体加工设备，该衬底上的孔隙沉积工艺，包括以下步骤：S1，采用溅射沉积的方式在衬底上的孔隙内形成金属层；S2，将衬底加热至预设温度，以使金属层的金属粒子自孔隙的上部逐渐向孔隙的底部迁移；S3，重复上述步骤S1和S2至少一次。本发明提供的衬底上的孔隙沉积工艺，其不仅可以直接实现对小尺寸的孔隙完全填充；而且可以降低孔隙顶部的overhang和提高内侧壁的覆盖率以满足后续电镀工艺的需求，从而也可以实现对小尺寸的孔隙完全填充，进而可以提高小尺寸孔隙的填充工艺的工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 孔隙 沉积 工艺 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，采用溅射沉积的方式在衬底上的孔隙内形成金属层；步骤S2，将形成金属层的所述衬底加热至预设温度，以使所述金属层的金属粒子自所述孔隙的上部逐渐向所述孔隙的底部迁移；步骤S3，重复上述步骤S1和S2至少一次。
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