[发明专利]衬底上的孔隙沉积工艺及半导体加工设备

权利要求书

1.一种衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，采用溅射沉积的方式在衬底上的孔隙内形成金属层；

步骤S2，将形成金属层的所述衬底加热至预设温度，以使所述金属层的金属粒子自所述孔隙的上部逐渐向所述孔隙的底部迁移；

步骤S3，重复上述步骤S1和S2至少一次。

2.根据权利要求1所述的衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述预设温度的取值范围在200～300℃。

3.根据权利要求1所述的衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，在所述步骤S3中还包括，重复上述步骤S1和S2直至所述孔隙内完全被所述金属粒子填充。

4.根据权利要求1所述的衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，还包括步骤S4，采用电镀工艺在所述衬底上表面上沉积金属，直至所述衬底上的孔隙内完全被所述金属粒子填充。

5.根据权利要求1所述的衬底上的孔隙沉积工艺，其特征在于，所述步骤S1所采用的工艺温度的取值范围为小于60℃。

6.一种半导体加工设备，其特征在于，包括反应腔室、加热腔室和传输装置，其中，

所述反应腔室用于采用溅射沉积的方式在衬底上的孔隙内形成金属层；

所述加热腔室用于将形成金属层的所述衬底加热至预设温度，以使所述金属层的金属粒子自所述孔隙的上部逐渐向所述孔隙的底部迁移；

所述传输装置用于在所述反应腔室和所述加热腔室之间传输所述衬底。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述加热腔室设置在所述反应腔室的侧壁外侧，且与所述反应腔室相连通。

8.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述传输装置包括承载臂和旋转驱动机构，其中

所述承载臂用于承载所述衬底；

所述旋转驱动机构用于驱动所述承载臂围绕其旋转轴旋转，以带动所述衬底在所述反应腔室和所述加热腔室二者之间传输。

9.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述加热腔室内设置有加热裝置，用于在所述衬底位于所述加热腔室内时，将所述衬底加热至预设温度。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，所述加热装置包括红外加热灯泡。