[发明专利]A/F传感器元件及其制造方法

摘要

A/F传感器元件（1）包括由绝缘陶瓷制成的有底筒状的基体（10）、由固体电解质制成的电解质部（103）、以及一对电极（11，12）。所述电解质部（103）嵌入在基体（10）的侧壁（104）的至少一部分中。A/F传感器元件（1）通过将棒形加热器（3）插入有底筒状的基体（10）而使用。基体（10）在基体（10）内的与加热器3的接触位置（109）处由绝缘陶瓷形成。在基体（10）的制造中，具有用于电解质部（103）的形成位置的空间的成型体通过使用基体形成用粘土而形成，并且然后成型体通过将电解质形成用粘土填充入该空间而成型。

主权项

一种A/F传感器元件(1)，其包括：由绝缘陶瓷制成的有底筒状的基体(10，40，50，60)，其具有封闭的远端(101，401，501，601)以及开口的后端(102，402，502，602)；由固体电解质制成的电解质部(103，403a，403b，503，603)；以及一对电极(11，12)；其中，所述绝缘陶瓷由导热率高于所述固体电解质的材料制成；所述电解质部(103，403a，403b，503，603)嵌入在所述基体(10，40，50，60)的侧壁(104，404，504，604)的至少一部分中以构成所述侧壁(104，404，504，604)的一部分；该对电极(11，12)分别形成于所述侧壁(104，404，504，604)的内表面(106，406，506，606)和外表面(107，407，507，607)上，并且形成在夹持所述电解质部(103，403a，403b，503，603)的位置处；通过在所述有底筒状的基体(10，40，50，60)中插入棒形加热器(3)来使用所述A/F传感器元件(1)；并且所述基体(10，40，50，60)在所述基体(10，40，50，60)内的与所述加热器(3)接触的位置(109，409，509，609)处由所述绝缘陶瓷形成，其中，所述基体(10，40，50，60)和所述电解质部(103，403a，403b，503，603)之间的边界区域(105，405，505，605)处的高度差为10μm或更小。