[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410142538.6 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104241391B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 姜一俊;曹煐美 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/221 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王峰;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括在基板上布置的栅电极；在所述基板上布置的栅绝缘层；在所述基板上布置的半导体层，所述栅绝缘层被配置为使所述半导体层和所述栅电极彼此绝缘；在所述基板上布置的源电极；以及在所述基板上布置的漏电极。所述氧化物半导体包括锌（Zn）、锡（Sn），以及Ag和Au的至少一种。在薄膜晶体管的Zn‑Sn‑O半导体层中Ag和/或Au的使用可以提高该薄膜晶体管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：在基板上布置的栅电极；在所述基板上布置的栅绝缘层；在所述基板上布置的半导体层，所述栅绝缘层被配置为使所述半导体层和所述栅电极彼此绝缘；在所述基板上布置的源电极；以及在所述基板上布置的漏电极，其中所述半导体层包括：锌Zn，锡Sn，以及Ag和Au中的至少一种元素M，其中所述半导体层中的有效电子质量在0.220m0至0.244m0的范围内，其中m0＝9.11×10‑31kg。
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