[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410142538.6 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104241391B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 姜一俊;曹煐美 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/221 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王峰;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括：
在基板上布置的栅电极；
在所述基板上布置的栅绝缘层；
在所述基板上布置的半导体层，所述栅绝缘层被配置为使所述半导体层和所述栅电极彼此绝缘；
在所述基板上布置的源电极；以及
在所述基板上布置的漏电极，
其中所述半导体层包括：
锌Zn，
锡Sn，以及
Ag和Au中的至少一种元素M，
其中所述半导体层中的有效电子质量在0.220m0至0.244m0的范围内，其中m0＝9.11×10-31kg。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层布置在所述栅电极上。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极布置在所述半导体层上。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源电极和所述漏电极布置在所述半导体层上。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层布置在所述源电极和所述漏电极各自的至少部分上。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中M/(Zn+Sn+M)的原子比在1原子％至16原子％的范围内。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中Zn对Sn的原子比Zn:Sn在1:1至2:1的范围内。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层是n型半导体层。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述元素M是Ag。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述元素M是Au。
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