[发明专利]六氯乙硅烷机台及其保养维护方法在审
申请号: | 201410141318.1 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN104073777A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 陈志平;俞玮;万家俊 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种六氯乙硅烷机台,包括:工艺机台,为六氯乙硅烷之工艺制程腔室;泵抽单元,通过具有主阀的管路与所述工艺机台连接;冷阱装置,进一步包括金属隔离网以及设置在金属隔离网外围的冷却装置,且冷阱装置设置在管路之异于泵抽单元的一端与主阀之间。本发明通过在主阀和管路之间设置冷阱装置,使得工艺机台之副产物溅落在活动设置的金属隔离网上,而不会在管路内聚集,在对六氯乙硅烷机台进行清理时不仅操作简单、方便,而且提高保养效率,提高了六氯乙硅烷机台的在线生产时间。 | ||
搜索关键词: | 六氯乙 硅烷 机台 及其 保养 维护 方法 | ||
【主权项】:
一种六氯乙硅烷机台,其特征在于,所述六氯乙硅烷机台包括: 工艺机台,所述工艺机台为六氯乙硅烷之工艺制程腔室; 泵抽单元,所述泵抽单元通过具有主阀的管路与所述工艺机台连接; 冷阱装置,所述冷阱装置进一步包括金属隔离网以及设置在所述金属隔离网外围的冷却装置,且所述冷阱装置设置在所述管路之异于所述泵抽单元的一端与所述主阀之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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