[发明专利]清洁方法、制造半导体器件的方法和基材加工设备有效
| 申请号： | 201410139146.4 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104249070B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 野田孝晓;野原慎吾;广濑义朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈文平,徐志明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 制造 半导体器件 基材 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在处理室中的基材上执行通过执行预定次数的系列形成含碳氧化物膜的过程后清洁处理室的内部的方法，所述系列包括：向所述基材同时供应包含硅、碳和卤素并具有Si‑C键的前体气体及第一催化气体；和向所述基材同时供应氧化气体和第二催化气体；其中所述清洁处理室的内部的操作包括执行预定次数的循环，所述循环包括：供应改性气体到所述处理室中以改性沉积在处理室中元件表面上的包括含碳氧化物膜的沉积物；和供应蚀刻气体到所述处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气，未经株式会社日立国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410139146.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电流互感器饱和识别方法
- 下一篇：一种玻璃纤维多分束快速上车式集束器
