[发明专利]清洁方法、制造半导体器件的方法和基材加工设备

权利要求书

1.一种用于在处理室中的基材上执行通过执行预定次数的系列形成含碳氧化物膜的过程后清洁处理室的内部的方法，所述系列包括：

向所述基材同时供应包含硅、碳和卤素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；和

向所述基材同时供应氧化气体和第二催化气体；

其中所述清洁处理室的内部的操作包括执行预定次数的循环，所述循环包括：

供应改性气体到所述处理室中以改性沉积在处理室中元件表面上的包括含碳氧化物膜的沉积物；和

供应蚀刻气体到所述处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。

2.权利要求1的方法，其中在供应所述改性气体的操作中，所述沉积物中包含的至少一部分碳从所述沉积物解吸，和

在供应所述蚀刻气体的操作中，通过热化学反应除去其中至少所述部分的碳解吸的沉积物。

3.权利要求1的方法，其中在供应改性气体的所述操作中，所述沉积物中包含的碳从所述沉积物解吸直到所述沉积物中包含的碳的浓度变为至少等于或低于杂质水平，和

在供应所述蚀刻气体的操作中，通过热化学反应除去其中碳的浓度至少等于或低于杂质水平的沉积物。

4.权利要求1的方法，其中在所述供应改性气体的操作中，所述沉积物中包含的至少一部分碳从所述沉积物解吸而不除去所述沉积物。

5.权利要求1的方法，其中供应所述改性气体的操作通过供应激发到等离子体状态的改性气体来执行，和

供应所述蚀刻气体的操作在非等离子体气氛下执行。

6.权利要求1的方法，其中在供应所述改性气体的操作中，沉积物通过等离子体化学反应改性。

7.权利要求1的方法，其中所述含碳氧化物膜是具有氧化物膜作为主要成分的膜，且氧化物膜中的至少一部分氧被碳取代。

8.权利要求1的方法，其中在供应所述改性气体的操作中，包括在所述沉积物中的含碳氧化物膜改性成为不包含碳的氧化物膜或碳浓度低于包括在所述沉积物中的含碳氧化物膜的碳浓度的含碳氧化物膜。

9.权利要求1的方法，其中所述前体气体包含选自烷基和亚烷基的至少一种。

10.权利要求1的方法，其中所述前体气体包含选自Si-C-Si键和Si-C-C-Si键的至少一种。

11.权利要求1的方法，其中所述第一和第二催化气体各包含选自基于胺的催化气体和非基于胺的催化气体的至少一种。

12.权利要求1的方法，其中所述含碳氧化物膜通过设定所述基材的温度在室温至200℃的范围内形成。

13.权利要求1的方法，其中所述含碳氧化物膜通过热处理获得，所述热处理在执行形成所述含碳氧化物膜的过程后在高于所述基材在形成所述含碳氧化物膜的过程中的温度的温度下执行。

14.权利要求1的方法，其中所述改性气体包含选自含氧气体、含氢气体和惰性气体的至少一种，且

所述蚀刻气体包含含氟气体。

15.权利要求1的方法，其中所述改性气体包含选自O₂气体、CO气体、CO₂气体、NO气体、N₂O气体、O₃气体、H₂O₂气体、H₂O气体、H₂气体、D₂气体、NH₃气体、N₂气体、Ar气体、He气体、Ne气体和Xe气体的至少一种，且

所述蚀刻气体包含选自HF气体、F₂气体、NF₃气体和ClF₃气体的至少一种。