[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410138082.6 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104979208B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在PMOS的沟道长度方向设置扩散阻挡层之后，进行扩散地形工程处理，可以在提高NMOS的沟道长度方向、NMOS的沟道宽度方向以及PMOS的沟道宽度方向的张应力的同时，阻挡对PMOS的沟道长度方向的张应力增强作用，因而可以提高NMOS和PMOS器件的性能，进而提高整个半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义有源区；步骤S102：在所述半导体衬底上形成扩散阻挡层；步骤S103：对所述扩散阻挡层进行刻蚀，保留所述扩散阻挡层位于PMOS的沟道长度方向的部分，去除所述扩散阻挡层位于其他区域的部分；步骤S104：进行扩散地形工程处理以提高NMOS的沟道长度方向、NMOS的沟道宽度方向以及PMOS的沟道宽度方向的张应力，其中，所述扩散阻挡层被保留的部分抑制所述扩散地形工程处理对PMOS的沟道长度方向的张应力增强作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
