[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

等离子体处理方法和等离子体处理装置。能够抑制由附着于腔室的内部的含Ti膜导致的蚀刻特性的经时变差。等离子体处理方法包括蚀刻工序、改性工序、第1去除工序和第2去除工序。蚀刻工序将配置于腔室的内部的被处理体上所形成的、具有规定的图案的TiN膜作为掩模，用第1含氟气体的等离子体对绝缘膜进行蚀刻。改性工序绝缘膜被蚀刻之后，用含氧气体的等离子体从附着于腔室内部的部件上的含碳膜和含Ti膜中将含碳膜去除并且用含氧气体的等离子体对含Ti膜的表面进行改性。第1去除工序用第2含氟气体的等离子体将含Ti膜的表面被改性而得到的TiO膜去除。第2去除工序用含氯气体的等离子体将TiO膜被去除而露出的含Ti膜的残膜从部件上去除。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：蚀刻工序：将配置于腔室的内部的被处理体上所形成的、具有规定的图案的TiN膜作为掩模，用第1含氟气体的等离子体对绝缘膜进行蚀刻；改性工序：所述绝缘膜被蚀刻之后，用含氧气体的等离子体从附着于所述腔室内部的部件上的含碳膜和含Ti膜中将所述含碳膜去除并且用所述含氧气体的等离子体对所述含Ti膜的表面进行改性；第1去除工序：用第2含氟气体的等离子体将所述含Ti膜的表面被改性而得到的TiO膜去除；和第2去除工序：用含氯气体的等离子体将所述TiO膜被去除而露出的所述含Ti膜的残膜从所述部件上去除；所述改性工序、所述第1去除工序和所述第2去除工序在所述腔室的内部没有配置所述被处理体的状态下实施。