[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201410137294.2 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104103580B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 味上俊一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：
蚀刻工序：将配置于腔室的内部的被处理体上所形成的、具有规定的图案的TiN膜作为掩模，用第1含氟气体的等离子体对绝缘膜进行蚀刻；
改性工序：所述绝缘膜被蚀刻之后，用含氧气体的等离子体从附着于所述腔室内部的部件上的含碳膜和含Ti膜中将所述含碳膜去除并且用所述含氧气体的等离子体对所述含Ti膜的表面进行改性；
第1去除工序：用第2含氟气体的等离子体将所述含Ti膜的表面被改性而得到的TiO膜去除；和
第2去除工序：用含氯气体的等离子体将所述TiO膜被去除而露出的所述含Ti膜的残膜从所述部件上去除；
所述改性工序、所述第1去除工序和所述第2去除工序在所述腔室的内部没有配置所述被处理体的状态下实施。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第2含氟气体包含CF4或SF6。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第2含氟气体进而包含O2。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述含氯气体含有Cl2、BCl3和SiCl4中的至少任意一种。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，进一步包括图案化工序：在所述蚀刻工序之前，将所述TiN膜图案化成所述规定的图案。
6.根据权利要求1～4的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第2去除工序在低于所述第1去除工序的压力下实施。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
