[发明专利]石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。该方法得到的单分子薄膜结构中的晶型种数可调，成膜均匀，缺陷少，操作简单，温度条件温和，石墨易清洁可多次利用。通过本发明所述方法获得的石墨基底上生长的不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。

主权项

一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，其特征在于采用在石墨基底上由烷氧基酞菁化合物用溶剂挥发法制成，并通过控制不同的温度条件，得到不同结构的单分子薄膜，具体操作按下列步骤进行：a、将烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁的化合物溶解于有机溶剂甲苯中，超声震荡10分钟，配成浓度为0.005 mg/mL‑0.05mg/mL的溶液；b、将步骤a中的溶液滴加至干净的石墨基底上，温度25℃‑60℃，静置，时间为5‑30分钟，使有机溶剂甲苯完全挥发，或在室温25℃下有机溶剂甲苯挥发后，再在温度75℃‑80℃下退火处理，时间为10分钟，得到石墨基底上的生长不同结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。