[发明专利]石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法

权利要求书

1.一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，其特征在于采用在石墨基底上由烷氧基酞菁化合物用溶剂挥发法制成，并通过控制不同的温度条件，得到不同结构的单分子薄膜，具体操作按下列步骤进行：

a、将烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁的化合物溶解于有机溶剂甲苯中，超声震荡10分钟，配成浓度为0.005 mg/mL-0.05mg/mL的溶液；

b、将步骤a中的溶液滴加至干净的石墨基底上，温度25℃-60℃，静置，时间为5-30分钟，使有机溶剂甲苯完全挥发，或在室温25℃下有机溶剂甲苯挥发后，再在温度75℃-80℃下退火处理，时间为10分钟，得到石墨基底上的生长不同结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。

2.根据权利1要求所述的方法，其特征在于步骤b中石墨为高定向裂解石墨，用透明胶带剥离去除表面层。

3.根据权利1要求所述的方法，其特征在于步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度25℃-55℃完全挥发后，得到含有两种不同晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。

4.根据权利1要求所述的方法，其特征在于步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度60℃完全挥发后，得到只含有一种晶形结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。

5.根据权利1要求所述的方法，其特征在于步骤b中室温25℃下有机溶剂甲苯完全挥发后，再在温度75℃-80℃退火处理后得到只含有一种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。