[发明专利]钽源前驱体及其制备方法和TaN薄膜电阻的制备方法

摘要

本发明公开了钽源前驱体及其制备方法和TaN薄膜电阻的制备方法，其中所述钽源前驱体，其特征在于，包括Ta（ButN）（NEt2）3、Ta（ButN）（NEtMe）3、Ta（PriN）（NEt2）3、Ta（NCMe2Et）（NEt2）3、Ta（NMe2）5中的任意一种或两种以上的混合物。所述制备方法为前述钽源前驱体的制备方法，所述TaN薄膜电阻的制备方法采用前述钽源前驱体。与现有技术相比，本发明能够降低TaN薄膜的沉积温度，提高TaN薄膜的电学性能。

主权项

一种钽源前驱体的制备方法，其特征在于：所述钽源前驱体为：Ta(ButN)(NEt2)3、Ta(ButN)(NEtMe)3、Ta(PriN)(NEt2)3、Ta(NCMe2Et)(NEt2)3，所述方法包括以下步骤：将14‑18份硅烷化试剂与20‑25份胺基化试剂在甲苯溶液中反应，然后添加20‑30份五氯化钽并搅拌反应后，加入19‑23份吡啶搅拌过夜后过滤得到粗产物；将所述粗产物于甲苯中进行低温重结晶进一步纯化，得到结晶状产物；将所述结晶状产物悬浮于正己烷中，然后加入20‑25份仲胺基化试剂的正己烷悬浮液进行反应，反应液过夜后过滤，将滤液浓缩后减压蒸馏获得前述钽源前驱体；其中，所述份数均为质量份，所述硅烷化试剂为：三甲基氯化硅；所述仲胺基化试剂为二乙胺基锂或甲乙胺基锂；所述胺基化试剂为叔丁基胺、异丙基胺或叔戊基胺。