[发明专利]钽源前驱体及其制备方法和TaN薄膜电阻的制备方法有效
| 申请号： | 201410136822.2 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104975269B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘萍;张双庆 | 申请（专利权）人： | 广东丹邦科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/517;H05K3/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 赵烨福 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 前驱 及其 制备 方法 tan 薄膜 电阻 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽源前驱体的制备方法，其特征在于：所述钽源前驱体为：Ta(ButN)(NEt2)3、Ta(ButN)(NEtMe)3、Ta(PriN)(NEt2)3、Ta(NCMe2Et)(NEt2)3，所述方法包括以下步骤：
将14-18份硅烷化试剂与20-25份胺基化试剂在甲苯溶液中反应，然后添加20-30份五氯化钽并搅拌反应后，加入19-23份吡啶搅拌过夜后过滤得到粗产物；
将所述粗产物于甲苯中进行低温重结晶进一步纯化，得到结晶状产物；
将所述结晶状产物悬浮于正己烷中，然后加入20-25份仲胺基化试剂的正己烷悬浮液进行反应，反应液过夜后过滤，将滤液浓缩后减压蒸馏获得前述钽源前驱体；
其中，所述份数均为质量份，所述硅烷化试剂为：三甲基氯化硅；所述仲胺基化试剂为二乙胺基锂或甲乙胺基锂；所述胺基化试剂为叔丁基胺、异丙基胺或叔戊基胺。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
