[发明专利]一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列有效
| 申请号： | 201410134661.3 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104143982B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈云龑 | 申请（专利权）人： | 上海菱沃铂智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200070 上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，该DAC电容阵列对应C‑2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；每个重复单元包括位电容Cn、寄生电容Cp、阶间电容Cs和阶间并联电容Cx；所述的寄生电容Cp与位电容Cn共阳极，阴极接地；所述的阶间并联电容Cx与阶间电容Cs并联后，一端与位电容Cn阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容Cn阳极连接；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均设有横向寄生电容Cx0；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均存在纵向寄生电容Cp0。与现有技术相比，本发明具有分辨率高、面积小、利用率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sar adc 面积 dac 电容 阵列 | ||
【主权项】：
一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列对应C‑2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；每个重复单元包括位电容Cn、寄生电容Cp、阶间电容Cs和阶间并联电容Cx；所述的寄生电容Cp与位电容Cn共阳极，阴极接地；所述的阶间并联电容Cx与阶间电容Cs并联后，一端与位电容Cn阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容Cn阳极连接；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均设有横向寄生电容Cx0；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均存在纵向寄生电容Cp0；该DAC电容阵列采用C‑2C梯形电容阵列排布，即位电容Cn＝C，阶间电容Cs＝2C；所述的寄生电容Cp＝2Cp0，阶间并联电容Cx＝6Cx0，为了使C‑2C电容容值匹配，需要满足如下公式：1C+Cx0+Cp0(2C+2Cx0)(C+Cx0)+12C+6Cx0=C+Cx0]]>由此公式推导，可得：Cx0=0.5*Cp0*C+(C-1.5Cp0)24-C-1.5Cp02.]]>
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