[发明专利]一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列

权利要求书

1.一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列对应C-2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；

每个重复单元包括位电容C_n、寄生电容C_p、阶间电容C_s和阶间并联电容C_x；所述的寄生电容C_p与位电容C_n共阳极，阴极接地；

所述的阶间并联电容C_x与阶间电容C_s并联后，一端与位电容C_n阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容C_n阳极连接；所述的位电容C_n之间和阶间电容C_s之间均设有横向寄生电容Cx₀；所述的位电容C_n之间和阶间电容C_s之间均存在纵向寄生电容Cp₀；

该DAC电容阵列采用C-2C梯形电容阵列排布，即位电容C_n＝C，阶间电容C_s＝2C；

所述的寄生电容Cp＝2Cp₀，阶间并联电容Cx＝6Cx₀，

为了使C-2C电容容值匹配，需要满足如下公式：

1C+Cx0+Cp0(2C+2Cx0)(C+Cx0)+12C+6Cx0=C+Cx0]]>

由此公式推导，可得：

Cx0=0.5*Cp0*C+(C-1.5Cp0)24-C-1.5Cp02.]]>

2.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，相邻重复单元的位电容并联设置。

3.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列为8阶以上。

4.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，所述的横向寄生电容Cx₀决定各个电容之间的距离。