[发明专利]一种存储芯片数据写入方法及装置有效
| 申请号: | 201410129796.0 | 申请日: | 2014-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN103838526B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
| 发明(设计)人: | 邓孜俊;王龙辉;左春生;刘伟高 | 申请(专利权)人: | 广州华欣电子科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 曹志霞 |
| 地址: | 510663 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明实施例公开了一种存储芯片数据写入方法及装置,通过先判断是否具备足够的写入新数据的空间,若有,则直接写入新的数据,若否,再进行擦除操作,从而,进一步减少了在Flash存储芯片中写入和擦除的次数,同时,大大地延长了Flash存储芯片的工作寿命。本发明实施例方法包括S1判断是否具备足够写入第一数据的空间,若是,则执行步骤S2,若否,则执行步骤S3;S2将第一数据写入第一空闲存储区;S3擦除全部存储区,并将第一数据写入相对应的存储区。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 存储 芯片 数据 写入 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种存储芯片数据写入方法,其特征在于,包括:S1:判断存储芯片存储页的存储区是否具备足够写入第一数据的空间,若是,则执行步骤S2,若否,则执行步骤S3;S2:将所述第一数据写入第一空闲存储区,当第一数据写入之后,读取第一数据时,从存储页的存储区末端往前查找;S3:擦除全部存储区,并将所述第一数据写入相对应的存储区;所述步骤S1之前还包括:将所述第一数据缓存在具备预置缓存时长的缓存区中;当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时,对所述第一数据进行写入操作;当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时,对所述第一数据进行写入操作具体包括:监测所述预置时长内是否有第二数据写入,若是,则重置所述缓存区的缓存时间为所述预置缓存时长,并将所述第二数据合并或更新为所述第一数据,若否,则当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时,对所述第一数据进行写入操作;所述步骤S3具体包括:读取所述全部存储区的全部数据,所述全部数据包含有身份标识;擦除所述全部存储区,并将所述第一数据写入相对应的所述存储区;将所述第一数据写入相对应的所述存储区具体包括:根据所述第一数据的身份标识提取读取到的所述全部数据中原始的所述第一数据;将所述第一数据在相对应的所述存储区中与原始的所述第一数据进行替换,并与所述全部数据进行合并;将合并后的所述全部数据写入相对应的所述存储区。
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