[发明专利]一种存储芯片数据写入方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及嵌入式技术领域，尤其涉及一种存储芯片数据写入方法及装置。

背景技术

Flash存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，在嵌入式系统芯片的存储芯片最主要的就是Flash存储芯片与RAM芯片，然而，由于Flash存储芯片在断电后数据不会丢失的特殊功能，使得Flash存储芯片的应用更加广泛。

然而，如今的Flash存储芯片在改写过程中，擦除操作与写入操作是有次数限制的，如图1所示，当某系统或者在某使用环境下需要经常修改Flash存储芯片中的某一个参数，由于基于Flash存储芯片的特殊性，擦除时是进行页擦除动作，因此当需要对图1中C3数据的改写时，当C3写入次数有100K次时，P1页相对应也进行了100K次的擦除，然而其它参数均始终保持原擦除值，当一直对C3进行写入处理，便导致当擦除到一个最大次数时，该Flash存储芯片在该P1页的擦写寿命也就终止了，同时该P1页的存储/读取功能也丧失了，意味着除了C3，C1、C2及C4的数据也无法获取，因此，在嵌入式系统中，快速运行的系统可能会多次擦写Flash芯片的同一块区域，若此区域擦写次数超过了限制就会导致此区域的存储单元损坏。

针对上述的Flash存储芯片的擦除和写入操作的限制，因此，如何减少在Flash存储芯片中写入和擦除的次数，从而延长Flash存储芯片的寿命，已经成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种存储芯片数据写入方法及装置，通过先判断是否具备足够的写入新数据的空间，若有，则直接写入新的数据，若否，再进行擦除操作，从而，进一步减少了在Flash存储芯片中写入和擦除的次数，同时，大大地延长了Flash存储芯片的工作寿命。

本发明实施例提供的一种存储芯片数据写入方法，包括：

S1：判断是否具备足够写入第一数据的空间，若是，则执行步骤S2，若否，则执行步骤S3；

S2：将所述第一数据写入第一空闲存储区；

S3：擦除全部存储区，并将所述第一数据写入相对应的存储区。

优选地，

所述步骤S1之前还包括：

将所述第一数据缓存在具备预置缓存时长的缓存区中；

当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时，对所述第一数据进行写入操作。

优选地，

当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时，对所述第一数据进行写入操作具体包括：

监测所述预置时长内是否有第二数据写入，若是，则重置所述缓存区的缓存时间为所述预置缓存时长，并将所述第二数据合并或更新为所述第一数据，若否，则当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时，对所述第一数据进行写入操作。

优选地，

所述步骤S3具体包括：

读取所述全部存储区的全部数据，所述全部数据包含有身份标识；

擦除所述全部存储区，并将所述第一数据写入相对应的所述存储区。

优选地，

将所述第一数据写入相对应的所述存储区具体包括：

根据所述第一数据的身份标识提取读取到的所述全部数据中原始的所述第一数据；

将所述第一数据在相对应的所述存储区中与原始的所述第一数据进行替换，并与所述全部数据进行合并；

将合并后的所述全部数据写入相对应的所述存储区。

本发明实施例提供的一种存储芯片数据写入装置，包括：

判断模块，用于判断是否具备足够写入第一数据的空间，若是，则触发第一写入模块，若否，则触发第二写入模块；

所述第一写入模块，用于将所述第一数据写入第一空闲存储区；

所述第二写入模块，用于擦除全部存储区，并将所述第一数据写入相对应的存储区。

优选地，

所述的存储芯片数据写入装置还包括：

缓存模块，用于将所述第一数据缓存在具备预置缓存时长的缓存区中；

计时模块，用于当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时，对所述第一数据进行写入操作。

优选地，

所述计时模块具体包括：

监测子模块，用于监测所述预置时长内是否有第二数据写入，若是，则重置所述缓存区的缓存时间为所述预置缓存时长，并将所述第二数据合并或更新为所述第一数据，若否，则当所述第一数据缓存时间超过所述预置缓存时长时，对所述第一数据进行写入操作。

优选地，

所述第二写入模块具体包括：