[发明专利]双面电极太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201410126821.X | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103985782A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 花国然;王强;朱海峰;仲蓓鑫 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双面电极太阳能电池的制备方法，包括：提供P型硅基板；在硅基板上层形成氧化层；保留硅基板上部分氧化层、并刻蚀其他部位的氧化层，保留的氧化层作为硅基板上层的正电极通道；在硅基板表面扩散一N层，形成PN结；去除硅基板上保留的氧化层，并在硅基板上层印刷金属电极，所述金属电极包括正电极和顶电极；在硅基板下层形成底电极，形成双面电极太阳能电池。本发明通过两次扩散和增加一个金属电极，减少了加工步骤并将载流子均匀分布形成环形PN结，同时减少了电流的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电极 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双面电极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：S101：提供P型硅基板；S102：在硅基板上层形成氧化层；S103：保留硅基板上部分氧化层、并刻蚀其他部位的氧化层，保留的氧化层作为硅基板上层的正电极通道；S104：在硅基板表面扩散一N层，形成PN结；S105：去除硅基板上保留的氧化层，并在硅基板上层印刷金属电极，所述金属电极包括正电极和顶电极；S106：在硅基板下层形成底电极，形成双面电极太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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