[发明专利]基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺有效
| 申请号： | 201410126232.1 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103840008A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡浩;宁小霖 | 申请（专利权）人： | 成都立芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 郭霞 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。本发明所述LDMOS器件的耐压区长度较小，能在保证击穿电压不变的条件下大幅度减少器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bcd 工艺 高压 ldmos 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件，包括衬底，其特征在于：所述衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。
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