[发明专利]基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺

权利要求书

1.一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件，包括衬底，其特征在于：所述衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。

2.一种如权利要求1所述的基于BCD工艺的高压LDMOS器件采用的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）选择掺杂为磷的N型衬底，厚度为0～1000um；

（2）进行硼注入以形成P型埋层，能量为0～1000kev，剂量为1e11～1e15/cm²；

（3）在P型埋层上进行外延生长得到N型薄外延层，厚度为0～30um；

（4）分别进行磷注入和硼注入，磷注入能量300kev、剂量4e12/cm²，硼注入能量100kev、剂量1e13/cm²，然后在1100度温度下进行氮气退火形成N阱和P阱，阱的深度能够和埋层穿通；

（5）进行硼注入，能量为100Kev，剂量为1e12/cm²，然后在1000度温度下进行氮气退火形成P型轻掺杂顶层；

（6）采用两步离子注入形成p型场区，第一离子注入能量为1～200kev，剂量为1e11～1e15/cm²，第二步离子注入为硼注入，能量为1～300kev，剂量为1e11～1e15/cm²；

（7）栅极氧化层生长；

（8）多晶硅淀积，采用LPCVD的方式，方块电阻范围为1～100ohm/square；

（9）分别进行N型注入和P型注入，以形成源极、漏极的欧姆接触；

（10）淀积氧化层，作为层间介质；

（11）做源极/漏极的铝电极；

（12）钝化层淀积，膜层结构是PETEOS和PESIN。