[发明专利]晶体管及其制造方法在审
申请号: | 201410125986.5 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103871903A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 杨朝舜 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种晶体管及其制造方法。晶体管的制造方法包括下列步骤。首先,在基板上形成栅极,并在基板以及栅极上形成栅绝缘层以覆盖基板以及栅极。接着,在栅绝缘层上形成图案化沟道层以及掩模层,其中图案化沟道层与掩模层位于栅极上方,且掩模层位于图案化沟道层上。之后,通过湿式蚀刻剂在栅绝缘层上形成一源极与一漏极,并且通过湿式蚀刻剂移除未被源极与漏极覆盖的掩模层的部分直到图案化沟道层被暴露为止,以形成多个图案化掩模层。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体管的制造方法,包括:在一基板上形成一栅极;在该基板以及该栅极上形成一栅绝缘层,以覆盖该基板以及该栅极;在该栅绝缘层上形成一图案化沟道层以及一掩模层,其中该图案化沟道层与该掩模层位于该栅极上方,且该掩模层位于该图案化沟道层上;以及通过一湿式蚀刻剂在该栅绝缘层上形成一源极与一漏极,并且通过该湿式蚀刻剂移除部分未被该源极与该漏极覆盖的该掩模层直到该图案化沟道层被暴露为止,以形成多个图案化掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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