[发明专利]晶体管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410125986.5 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103871903A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 杨朝舜 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L29/786;H01L29/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种晶体管及其制造方法。晶体管的制造方法包括下列步骤。首先,在基板上形成栅极,并在基板以及栅极上形成栅绝缘层以覆盖基板以及栅极。接着,在栅绝缘层上形成图案化沟道层以及掩模层,其中图案化沟道层与掩模层位于栅极上方,且掩模层位于图案化沟道层上。之后,通过湿式蚀刻剂在栅绝缘层上形成一源极与一漏极,并且通过湿式蚀刻剂移除未被源极与漏极覆盖的掩模层的部分直到图案化沟道层被暴露为止,以形成多个图案化掩模层。
搜索关键词: 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种晶体管的制造方法,包括:在一基板上形成一栅极;在该基板以及该栅极上形成一栅绝缘层,以覆盖该基板以及该栅极;在该栅绝缘层上形成一图案化沟道层以及一掩模层,其中该图案化沟道层与该掩模层位于该栅极上方,且该掩模层位于该图案化沟道层上;以及通过一湿式蚀刻剂在该栅绝缘层上形成一源极与一漏极,并且通过该湿式蚀刻剂移除部分未被该源极与该漏极覆盖的该掩模层直到该图案化沟道层被暴露为止,以形成多个图案化掩模层。
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