[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该基板以及该栅极上形成一栅绝缘层，以覆盖该基板以及该栅极；

在该栅绝缘层上形成一图案化沟道层以及一掩模层，其中该图案化沟道层与该掩模层位于该栅极上方，且该掩模层位于该图案化沟道层上；以及

通过一湿式蚀刻剂在该栅绝缘层上形成一源极与一漏极，并且通过该湿式蚀刻剂移除部分未被该源极与该漏极覆盖的该掩模层直到该图案化沟道层被暴露为止，以形成多个图案化掩模层。

2.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中该些图案化掩模层的材质与该源极及该漏极的至少部分材质相同。

3.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中该些图案化掩模层的材质包括金属或不含锡的氧化物半导体，而该图案化沟道层的材质包括含锡的氧化物半导体或多晶型的氧化铟镓(poly-IGO)。

4.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中该图案化沟道层的片电阻值介于10⁷欧姆/单位面积至10¹⁰欧姆/单位面积之间。

5.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中该些图案化掩模层、该源极以及该漏极的形成是通过相同的蚀刻剂来达成。

6.如权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中该湿式蚀刻剂包括硫酸、磷酸、硝酸与醋酸至少二者的混合液。

7.如权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中该湿式蚀刻剂包括硫酸、磷酸、硝酸或醋酸。

8.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中在该栅绝缘层上形成该图案化沟道层以及该掩模层的方法包括：

在该绝缘层上依序形成一沟道材料层以及一掩模材料层；

在该掩模材料层上形成一第一图案化光致抗蚀剂层，并以该第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除部分未被该第一图案化光致抗蚀剂层覆盖的该沟道材料层以及该掩模材料层，以形成该图案化沟道层以及该掩模层；以及

移除该第一图案化光致抗蚀剂层。

9.如权利要求8所述的晶体管的制造方法，其中形成该源极、该漏极与该些图案化掩模层的方法包括：

在该图案化沟道层以及该掩模层上形成一金属材料层；

在该金属材料层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层，并以该第二图案化光致抗蚀剂层为掩模，通过该湿式蚀刻剂，移除未被该第二图案化光致抗蚀剂层覆盖的该金属材料层，以形成该源极与该漏极；以及

通过该湿式蚀刻剂，移除位于该源极与该漏极之间未被该第二图案化光致抗蚀剂层覆盖的该掩模层，以形成该些图案化掩模层。

10.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中该湿式蚀刻剂对于该源极与该漏极的蚀刻速率为V_SD，该湿式蚀刻剂对于该图案化沟道层的蚀刻速率为V_CH，而该湿式蚀刻剂对于该掩模层的蚀刻速率为V_HM，且V_SD、V_CH与V_HM满足下列关系式：

10≤V_HM/V_CH≤100；以及

0.1≤V_SD/V_HM≤10。

11.一种晶体管，包括：

栅极；

栅绝缘层，以覆盖该栅极；

图案化沟道层，配置在该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该图案化沟道层的片电阻值介于10⁷欧姆/单位面积至10¹⁰欧姆/单位面积之间；

多个图案化掩模层，配置在该图案化沟道层上；以及

源极与一漏极，在该栅绝缘层上，其中该些图案化掩模层位于该源极与该图案化沟道层之间以及该漏极与该图案化沟道层之间。

12.如权利要求11所述的晶体管，其中该些图案化掩模层的材质包括不含锡的氧化物半导体，而该图案化沟道层的材质包括含锡的氧化物半导体或多晶型的氧化铟镓(poly-IGO)。