[发明专利]薄膜太阳能电池和制备其的方法有效
| 申请号： | 201410119473.3 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078525B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 出口浩司 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/032;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,陆惠中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜太阳能电池和制备其的方法。薄膜太阳能电池包括基板、第一电极、光电转化层和第二电极。将第一电极、光电转化层和第二电极层压在基板上。光电转化层具有层压的层状结构，其至少包括p型层和n型层。p型层由Cu、In、Ga和Se形成，并且p型层的Se的组成比等于或高于40原子%和低于50原子%。n型层是选自第2族、第7族和第12族的至少一个族的元素，第13族的元素，以及第16族的元素的化合物，以及包含至少In作为第13族的元素和至少S作为第16族的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，其包括：基板；第一电极；光电转化层；和第二电极，将所述第一电极、所述光电转化层和所述第二电极层压在所述基板上，其中所述光电转化层具有层压的层状结构，其至少包括p型层和n型层，其中所述p型层由Cu、In、Ga和Se形成，并且p型层的Se的组成比等于或高于40原子％并且低于50原子％，以及其中所述n型层是选自第2族、第7族和第12族的至少一个族的元素，第13族的元素，以及第16族的元素的化合物，以及包含至少In作为第13族的元素和至少S作为第16族的元素，其中使用溅射方法形成所述光电转化层，以及不使用采用Se或H2Se硒化的方法形成所述p型层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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