[发明专利]薄膜太阳能电池和制备其的方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其包括：

基板；

第一电极；

光电转化层；和

第二电极，

将所述第一电极、所述光电转化层和所述第二电极层压在所述基板上，

其中所述光电转化层具有层压的层状结构，其至少包括p型层和n型层，

其中所述p型层由Cu、In、Ga和Se形成，并且p型层的Se的组成比等于或高于40原子%并且低于50原子%，以及

其中所述n型层是选自第2族、第7族和第12族的至少一个族的元素，第13族的元素，以及第16族的元素的化合物，以及包含至少In作为第13族的元素和至少S作为第16族的元素。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其中在所述n型层中选自第2族、第7族和第12族的至少一个族的元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池，其中所述n型层除了In包含Ga、Al和B中的至少一种作为第13族的元素，以及除了S包含Te、Se和O中的至少一种作为第16族的元素。

4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜太阳能电池，其中所述n型层包含Zn、In和S，或Zn、Sr、In和S。

5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜太阳能电池，其中所述n型层的结构状态是非晶态。

6.根据权利要求1至5任一项所述的薄膜太阳能电池，其中使用溅射方法形成所述光电转化层，以及不使用采用Se或H₂Se硒化或补充元素硒的方法形成所述p型层。

7.一种制备根据权利要求1至5任一项所述的薄膜太阳能电池的方法，所述方法包括：

使用溅射方法形成所述光电转化层；和

不使用采用Se或H₂Se硒化或补充元素硒的方法形成所述p型层。