[发明专利]存储单元以及其制作方法

摘要

本发明公开一种存储单元以及其制作方法。存储单元包含一基底、一栅极介电层、一图案物质层、一选择栅极以及一控制栅极。栅极介电层设置在基底。图案物质层设置在基底上且包含一水平部分以及一垂直部分。选择栅极设置在基底且位于垂直部分的一侧。控制栅极设置在水平部分上且位于垂直部分的另一侧。图案物质层的垂直部分突出于选择栅极的顶部。本发明提供了另外一种存储单元的实施方式以及其制作方法。

主权项

1.一种存储单元，包含：基底；栅极介电层，设置在该基底上；L型的图案物质层，设置在该基底上，其中该图案物质层包含一垂直部分以及一水平部分；选择栅极，设置在该栅极介电层上且位于该图案物质层的该垂直部分的一侧；以及控制栅极，设置在该水平部分上，且位于该垂直部分的另外一侧，其中该垂直部分整体突出于该控制栅极的顶部以及该选择栅极的顶部。