[发明专利]存储单元以及其制作方法

权利要求书

1.一种存储单元，包含：

基底；

栅极介电层，设置在该基底上；

L型的图案物质层，设置在该基底上，其中该图案物质层包含一垂直部分以及一水平部分；

选择栅极，设置在该栅极介电层上且位于该图案物质层的该垂直部分的一侧；以及

控制栅极，设置在该水平部分上，且位于该垂直部分的另外一侧，其中该垂直部分整体突出于该控制栅极的顶部以及该选择栅极的顶部。

2.如权利要求1所述的存储单元，还包含间隙壁，设置在该垂直部分的侧壁。

3.如权利要求2所述的存储单元，其中该间隙壁包含第一间隙壁以及第二间隙壁。

4.如权利要求1所述的存储单元，其中该控制栅极的顶部高于该选择栅极的顶部。

5.如权利要求4所述的存储单元，其中该控制栅极的顶部高于该选择栅极的顶部，其高度差为100埃至300埃。

6.如权利要求1所述的存储单元，其中该垂直部分与该选择栅极的顶部的高度差为500埃至1500埃。

7.如权利要求1所述的存储单元，其中该图案物质层包含第一氧化层、氮化层以及第二氧化层。

8.如权利要求1所述的存储单元，还包含金属硅化物层，设置在该选择栅极以及该控制栅极的顶部。

9.一种存储单元，包含：

基底；

栅极介电层，设置在该基底上；

L型的图案物质层，设置在该基底上，其中该图案物质层包含一垂直部分以及一水平部分；

选择栅极，设置在该栅极介电层上且位于该图案物质层的该垂直部分的一侧；

控制栅极，设置在该水平部分上，且位于该垂直部分的另外一侧，其中该垂直部分突出于该选择栅极的顶部；

间隙壁，设置在该垂直部分的两侧壁且位于该控制栅极的顶部与该选择栅极的顶部；以及

金属硅化物层，设置在该控制栅极以及该选择栅极的顶部，其中该控制栅极的顶部与该选择栅极的顶部均被该金属硅化物以及该间隙壁完全覆盖。

10.如权利要求9所述的存储单元，其中该间隙壁包含第一间隙壁以及第二间隙壁。

11.如权利要求9所述的存储单元，其中该间隙壁在水平方向上不会与该金属硅化物层重叠。

12.一种制作存储单元的方法，包含：

提供一基底；

在该基底上形成一图案化介电层、一图案化第一导电层以及一图案化掩模层；

在该图案化介电层、该图案化第一导电层以及该图案化掩模层上共形地形成一物质层以及一第二导电层；

各向异性地移除该第二导电层形成一图案化第二导电层以及各向异性地移除该物质层形成图案化物质层；

移除部分的该图案化介电层、部分的该图案化第一导电层以及部分的该图案化掩模层；

完全移除该图案化掩模层，以形成两个对称的存储单元，其中每一该存储单元包含：

栅极介电层，由该图案化介电层形成；

L型的图案物质层，由该物质层形成，其中该图案物质层包含一垂直部分以及一水平部分；

选择栅极，由该图案化第一导电层形成，其中该选择栅极设置在该栅极介电层上且位于该垂直部分的一侧；

控制栅极，由该第二导电层形成，其中该控制栅极设置在该水平部分上，且位于该垂直部分的另外一侧，该垂直部分突出于该选择栅极的顶部以及该控制栅极的顶部；以及

形成间隙壁在该物质层垂直部分的两侧壁且该间隙壁设置在该控制栅极的顶部与该选择栅极的顶部。

13.如权利要求12所述的制作存储单元的方法，其中该间隙壁包含第一间隙壁以及第二间隙壁。