[发明专利]一种硅深孔工艺的监测方法在审
| 申请号： | 201410116990.5 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104944366A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;徐强;洪培真;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅深孔工艺的监测方法，包括：提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。通过测量硅深孔填充后的质量，来间接监测硅深孔填充工艺的是否达到要求，该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对硅深孔填充制程的有效监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅深孔 工艺 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅深孔工艺的监测方法，其特征在于，包括：提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。
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