[发明专利]一种硅深孔工艺的监测方法在审
| 申请号： | 201410116990.5 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104944366A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;徐强;洪培真;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅深孔 工艺 监测 方法 | ||
1.一种硅深孔工艺的监测方法，其特征在于，包括：
提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；
在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；
判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。
2.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，确定硅深孔填充后的质量目标值的步骤具体为：测量特定产品的晶圆在硅深孔填充后的质量，通过扫描电子显微镜分析该晶圆的硅深孔填充形貌，确定该晶圆的质量为质量目标值。
3.根据权利要求2所述的监测方法，其特征在于，确定硅深孔填充后的质量容差值的步骤具体为：测量该特定产品的其他多批次晶圆在硅深孔填充后的质量，得到硅深孔填充后的质量变化数据，以确定容差范围。
4.一种硅深孔工艺的监测方法，其特征在于，包括：
提供硅深孔填充前、后的质量差目标值以及其容差范围；
在硅深孔填充前，获得量产晶圆的第一质量；
在硅深孔填充后，获得量产晶圆的第二质量；
判断第二质量与第一质量的质量差是否在质量差目标值的容差范围内。
5.根据权利要求4所述的监测方法，其特征在于，确定质量差目标值的步骤具体为：测量特定产品的晶圆在硅深孔填充前、后的质量，通过扫描电子显微镜分析该晶圆的硅深孔填充形貌，确定该晶圆的前、后质量差为质量差目标值。
6.根据权利要求5所述的监测方法，其特征在于，确定质量差容差值得步骤具体为：测量该特定产品的其他多批次晶圆在硅深孔填充前、后的质量，得到硅深孔填充前、后的质量差变化数据，以确定容差范围。
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