[发明专利]一种碳化硅晶片腐蚀的方法和装置有效
| 申请号： | 201410116764.7 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103866398A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 高玉强;宗艳民;宁敏;刘云青 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶片的腐蚀方法和装置，其最主要的是提供了一种全新的混合腐蚀剂和全新的腐蚀装置，其中所采用的混合腐蚀剂由KOH、NaOH与氟盐三种组分构成，而所采用的腐蚀装置则通过全新的晶片承载装置实现了同时对多片晶片进行腐蚀操作；综合上述的改进，本发明的技术方案实现了对多片晶片的同时腐蚀，提高能量和腐蚀剂利用率，实现了对腐蚀时间和腐蚀温度的更精确控制，改善了整体装置的安全性，提高了实际腐蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 腐蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种腐蚀剂，其特征在于：所述腐蚀剂由KOH、NaOH与氟盐三种组分构成，其中所述氟盐包括NaF、KF、CaF2中的一种或几种；所述氟盐在腐蚀剂中的摩尔分数为1‑50%；同时所述腐蚀剂中KOH、NaOH的摩尔比为1:1。
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