[发明专利]一种碳化硅晶片腐蚀的方法和装置有效
| 申请号： | 201410116764.7 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103866398A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 高玉强;宗艳民;宁敏;刘云青 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 腐蚀 方法 装置 | ||
1.一种腐蚀剂，其特征在于：所述腐蚀剂由KOH、NaOH与氟盐三种组分构成，
其中所述氟盐包括NaF、KF、CaF2中的一种或几种；
所述氟盐在腐蚀剂中的摩尔分数为1-50%；同时所述腐蚀剂中KOH、NaOH的摩尔比为1:1。
2.一种碳化硅晶片腐蚀的方法，其特征在于：具体步骤如下:
（1）.将配比好的腐蚀剂放入坩埚，腐蚀剂的量保证在熔融后能够浸没全部样品即可，同时将热电偶放入保护装置中，并将其放入坩埚内，且底部浸入腐蚀剂内；
（2）.将坩埚放入电阻炉中温场均匀区域，设置电阻炉温度为200～600℃。关闭炉门，开始升温，达到预定温度后，继续保温0.5～4h以使腐蚀剂彻底熔融并混合均匀；
（3）.待保温结束后，将待腐蚀晶片装入承载装置中，并将其放入坩埚中，确保腐蚀剂熔体浸没全部晶片，关闭炉门开始腐蚀，腐蚀时间1～60min；
（4）.腐蚀完成后将晶片连同承载装置取出，冷却清洗，即可进行检测，验证腐蚀的效果。
3.根据权利要求2中所述的腐蚀方法，其特征在于：步骤（3）中的腐蚀温度为300-500℃。
4.一种碳化硅晶片腐蚀的装置，其特征在于：包括带有保护盖（4）的腐蚀坩埚（1）和放置在坩埚（1）内的晶片承载装置，所述的腐蚀坩埚（1）上部带有保护盖（4），所述保护盖（4）与坩埚（1）顶端开口对应，且保护盖上下两侧均设置有挂钩（5）和（6）；
所述的晶片承载装置包括采用镍金属丝编织的网桶（9），网桶（9）内设置有倾斜向下的多层镍金属丝编织网格（10）；所述的网桶（9）顶部通过镍制的锁链（8）连接有挂钩（7）；
所述坩埚（1）内还设置有镍制热电偶保护装置（3），其内设置有热电偶（2）。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：所述晶片承载装置的网格层数为2～12层，网格的直径为170-200mm，网格之间间隔1cm。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：每层网格呈0～45度倾斜。
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